TRinno Technology는 전력 반도체 공정 기술 중 state of the art process 로 불리는 “초 박막 wafer 가공 기술”을 자체적으로 확보하고 있으며, 6” wafer 기준으로 100um 수준의 wafer thinning process 를 진행할 수 있는 프로세스 R&D 센터를 보유하고 있습니다.

프로세스 R&D 센터에서는 foundry company 에서 부분 공정을 진행한 전력 소자에 backside grinding, implantation, metallization 및 wafer level test 를 포함한 일괄 후면 공정이 가능하며, 다양한 전력 반도체 소자에 적용 할 수 있습니다.


또한, 고객의 요구에 따라 ‘초 박막 wafer 가공 기술’에 대한 상용 서비스도 제공하고 있습니다.

[ 상용 서비스 ]

- Back Side Grinding (BSG, over 100µm)
- Implanting (1E13 ~ 5E16, ~150kev)
- Anneal (~500°C)
- Back Metal (Al, V/Ni, Ag)
- CP test